原文链接：济南检阅HongtaoXie,HuanboWang,QinGeng,ZheXing,WeiWang, JiayinChen,LeiJi,LeChang,ZhimingWang,andJianMaoOxygenVacanciesofCr-DopedCeO2 NanorodsThatEfficientlyEnhancethePerformanceofElectrocatalyticN2 FixationtoNH3underAmbientConditions. Inorg.Chem. DOI:10.1021/acs.inorgchem.9b00622.氮空位调控过渡金属氮化物(TMN)上的氮空位，济南检阅因其对二氮分子吸附的独特特性和较差的HER活性而被认为是NRR的理想活性位点。
图五、报业拜年光强度对光电协同初始化过程影响a）在不同光强（0、50、100、150、200和250mWcm-2）下测得的MAPbI3忆阻器的初始化I-V曲线。微观上，啦l艺材料中离子迁移势垒过高导致初始化电压过大，是加重电流过冲的主要原因。
济南检阅c-d）光强与器件初始化电压和过冲电流关系图。b）忆阻器电流过冲效应等效电路图，报业拜年过冲电流（IOV）可以流经两条平行路径：导电通道（IOV-CF）和薄膜（IOV-Film）。自2008年惠普实验室报道基于TiO2的首个忆阻原型器件以来，啦l艺研究人员发展了包括金属氧化物、二维材料、有机材料在内的多种忆阻材料。
图六、济南检阅光强度对光电协同初始化过程影响a）在不同入射光波长（415、543和825nm）下的MAPbI3忆阻器的初始化I-V曲线。报业拜年e）测定碘离子迁移势垒Ea的阿列纽斯曲线。
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